日前，Vishay Inter Technology，Inc .(纽交所股票代码：VSH)公布了最新的第四代600 V EF系列快体二极管MOSFET。
组件-SiH 070 n60ef。Vishay Siliconix n沟道SiHH070N60EF的导通电阻比其前身低29。
%，这为通信、工业、计算和企业电源应用提供了高效的解决方案，同时栅极电荷减少了60%，因此器件的导通电阻乘以栅极电荷，即功率转换应用中的600 V。
MOSFET的重要品质因数(FOM)在创业界是最低的。
Vishay提供丰富的MOSFET技术，支持各级功率转换，覆盖从高压输入到低压输出的各类最新高科技系统。随着SiHH070N60EF和即将推出的第四代600的推出
EF系列产品中，Vishay可以满足电力系统架构设计前两个阶段提高能效和功率密度的要求——包括图腾柱无桥功率因数校正(PFC)和软开关DC/DC变换器拓扑。
SiHH070N60EF基于Vishay最新的高能效E系列超结技术。10 V时的典型导通电阻仅为0.061 ，超低栅极电荷降至50。
nC .该器件的FOM为3.1 nC，比同类中最接近的MOSFET低30%。
%。这些参数表明传导和开关损耗降低，从而节省能量。SiHH070N60EF的有效输出电容Co(er)和Co(tr)分别仅为90 pf和560 pf。
PF可以改善ZVS拓扑的开关性能，如LLC谐振变换器。该器件的一氧化碳(tr)比同类MOSFET低32%。
最近发布的器件采用PowerPAK 8x8封装，符合RoHS标准，无卤素，可承受雪崩模式过压瞬变，保证限值100%通过UIS测试。
SiHH070N60EF现可提供样品并已实现量产，供货周期为10周。